等离子去胶法，其工作原理是在干法等离子去胶工艺中，氧是主要腐蚀气体。它在真空等离子去胶机反应室中受高频及微波能量作用，电离产生氧离子、游离态氧原子
O*、氧分子和电子等混合的必一运动B-sports官方网站，其中具有强氧化能力的游离态氧原子（约占 10-20%）在高频电压作用下与光刻胶膜反应： O2→O*+ O*， CxHy + O*→CO2↑+ H2O↑。
反应后生成的 CO2 和 H2O，随即被抽走。等离子去胶的优点是去胶操作简单、去胶效率高、表面干净光洁、无划痕、成本低、环保。
Pluto-MD等离子去胶机去除晶元硅片光刻胶的处理实例
样品图-硅片
硅片未处理时显微图
硅片处理后显微图
上海沛沅PLUTO-MD等离子去胶机使用性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制，它的工艺监测和数据采集软件可实现严格的质量控制。该技术已经成功的应
用于功率晶体管、模拟器件、传感器、光学器件、光电、EMS/MOEMS、生物器件、LED等领域。
以上可见，硅片未处理前，表面有大量的残余光刻胶；经过Pluto-MD等离子去胶机处理后，表面的光刻胶都被去除，效果非常好。
