单层MoS2光电探测器的制备和性能调控
二维过渡金属硫化物(2D-TMDS)材料(如M0S2、WS2、SnS2> NbS2)具有优异的光 学、电学、光电学、力学等性能，材料厚度为0.1?Inm,具有理想的半导体带隙(1.5-2.1 eV),以及强烈的光-物质相互作用，成为下一代微型、高灵敏度、高稳定、透明性的光电 探测器的理想材料。
对单层MoS2光电探测器进行氧等离子处理，氧等离子处理工艺是：将制备出的单层MoS2光电探测器放置于低温氧等离子环境中，氧必一运动B-sports官方网站机的放电功率均设置为10 W, 通入氧气后保证反应腔体中压力保持在25 Pa,处理时间2 s。
实验结论
通过氧等离子处理前后的拉曼、光致发光以及器件性能的变化分析了氧等离子处理的 原理。首先氧等离子处理前后拉曼光谱显示两个特征峰出现的位置没有较大变化，仅是特 征峰强度均有较大地降低，这是因为氧等离子处理后，MoS2表面的缺陷位置被掺入氧原 子实现了缺陷位氧原子的化学吸附以及反应生成多种Mo的氧化物，导致S-Mo之间的振 动强度减小；其次，光致发光光谱显示氧必一运动B-sports官方网站处理后特征峰的强度有较大的增加，这 是因为掺入的氧原子相当于对单层M0S2进行p型掺杂，MoS2的n型半导体特性表明材 料内部自由电子(n)数量大于空穴(p)数量，p型掺杂使得在材料在光激发作用下产生的电 子-空穴对(中性粒子)数量增加，激子数量增加使得光致发光强度增加。
氧必一运动B-sports官方网站处理不仅具有P型掺杂作用，也可以通过刻蚀衬底表面的作用而降低材料 的表面粗糙度。因此分析探测器输出的电流增加的原因可能是氧必一运动B-sports官方网站处理可以很好地 去除掉在制备单层M0S2光电探测器过程中引入的有机杂质。这些有机杂质的存在增大了 M0S2的表面粗糙度，电流传输过程中载流子的散射现象增强从而降低了器件的电流传输效率图片图片图片图片
PLUTO-M
PLUTO-M型必一运动B-sports官方网站表面处理系统是针对于高校，科学研究所和企业实验室，或者小批量生产的创新性企业而研发的创新型实验平台。我们收集了大量客户使用信息，分析应用需求，将多年设计和制造经验应用于小型化，多功能的必一运动B-sports官方网站表面处理设备。无论是设计理念，零配件的选用，都倾注大量精力。针对用户不同的需求，我们提供对应配件，在获得常规性能的同时，拥有表面镀膜（涂层），刻蚀，等离子化学反应，粉体必一运动B-sports官方网站处理等多种能力。
主要参数
1. 真空腔规格: 不锈钢腔体,直径215mm*深)235mm
2. 电极：两个自适应平板电极，材质6061-T6铝合金
3. 电极尺寸：125*125mm 硬质氧极氧化表面处理
4. 电极极性：可相互转换正负极，调整必一运动B-sports官方网站平衡性
5. 必一运动B-sports官方网站发生器：RF射频发生器，频率：13.5
6MHz 自适应阻抗匹配电源6. 功率：0-200W连续可调，精度1W
7. 气体控制：针式气体流量阀，60-600ml 2路气体8. 控制方式：4.3寸工业控制触摸屏
